对于主流级固态硬盘来说，我想不少老玩家都非常熟悉群联/SMI/马牌的方案了，这类相同方案下产品性能大同小异，不同厂家之间最大差异大概就是固件的调试了；最近管家入手了来自宏碁ACER的FA100固态硬盘1TB版本，最大特点是其采用市场上少见的英韧主控方案，在这里管家做个开箱试玩分享一下。

开箱部分

相比管家之前试玩的GM系列固态硬盘，宏碁ACER FA100 1TB版（下文简称“FA100 1TB”）的包装以翠绿色和白色为主，包装风格简明扼要，远看包装会给人一种某牌绿盘的错觉。

包装正面

PCIE3.0 X4

5年质保

本次入手为1TB版本

包装背面

在性能指标参数方面，FA100 1TB的标称随机读取为3300MB/s，随机写入则为2700MB/s，在性能参数上接近PCIE3.0高端定位的2262方案。

具体性能参数

相关认证支持

全套附件一览

和大多数固态硬盘产品一样，除了基本箱说和固态硬盘本体外，仅附赠了一颗方便安装的M2螺丝，考虑到固态硬盘本身上手即可使用的特性，也算是该有的都有了。

产品细节

和之前GM系列一样，FA100 1TB使用了黑色雾面PCB设计，其中正面为产品标识贴纸，背面为带ACER LOGO的散热贴，相比常见的固态硬盘PCB而言，FA100 1TB的边角非常圆润，这在M2固态硬盘设备中较为少见的，造型上拥有较高辨识度。

FA100 1TB正面

使用支持PCIE X4的M KEY接口

圆润的PCB边角较为特别

中国制造

PCB背面散热帖

PCB生产日期为21年11周

卸除标识贴纸后，我们可以看到，FA100 1TB使用单面打料设计，PCB正面包含一颗来自英韧INNOGRIT的IG5216主控以及4颗NAND闪存颗粒，这一方案在市面上相当少见，实际性能测试表现让人好奇。

清理正面标签贴纸

好吧，这样看就清晰一点了

主控芯片方面，英韧IG5216是一款支持PCIE3.0 X4和NVMe1.4协议的固态硬盘主控，最大支持容量为2TB，主控本身又名“Shasta+”，方案本身无板载缓存，使用HMB技术；主控具备4条NAND通道，可搭配SLC、MLC、TLC以及QLC颗粒组建成品方案，标称最高性能为随机读取3400MB/s+随机写入3000MB/s；对比同期主控，其节能特性是一个亮点，标称功耗峰值为1.35W。

英韧INNOGRIT IG5216主控

IG5216主控官方简介

主要功能一览

具体指标参数

在闪存NAND方面，FA100 1TB采用4颗自封颗粒BW29F2T08EMLEE，颗粒类型为3D NAND，从实际上机查询FLASH ID得知，该颗粒为BIWIN自封的镁光176层3D TLC颗粒（B47R），根据FA100 1TB规格信息，1TB版本下写入寿命上限为600TBW，符合其定位。

BIWIN自封颗粒

颗粒为镁光3D NAND 176层TLC

安装管家自备的散热片

上机测试~

基准性能测试

一如既往的，测试平台选择5800X+X570 CARBON，BIOS更新至AGESA 1.2.0.0的正式版，关闭PBO+锁CPU频率1.25v 4.5Ghz，内存手动超至3800MHz CL18-22-22-42/FCLK1900；FA100 1TB固态硬盘安装至直连CPU的第一条M.2槽。

BIOS截图

在CrystalDiskInfo软件界面中可以看到，管家手上这块FA100 1TB具体型号为Acer SSD FA100 1TB，固件版本为1.1.R.2Z，固态硬盘本身支持NVME 1.4协议和S.M.A.R.T.、TRIM和volatile write cache等，而传输模式正常在PCIE 3.0 x4。

CrystalDiskInfo信息截图

在CrystalDiskMark 1GB跑分项目上，FA100 1TB的随机读写超过了官方标称的3300MB/s和2700MB/s，达到了3410,31MB/s和2823.61MB/s，4K部分则达到了65.73MB/s；64G测试方面，随机读写为3408.93MB/s和2806.16MB/s，基本和1G保持一致，而4K成绩则有轻微下降，为60.23MB/s，整体表现还算不错。

CrystalDiskMark 1GB成绩

CrystalDiskMark 64GB成绩

和之前测试情况一样，AS SSD Benchmark跑分相对于CrystalDiskMark会略微偏低，FA100 1TB也不例外，FA100 1TB在1GB项目中取得4276总分，其中连续读取3017.34MB/s，连续写入2495.83MB/s，4K读取59.47MB/s；而在10GB和1GB下成绩几乎没区别，均没出现掉速。

AS SSD Benchmark 1GB成绩

AS SSD Benchmark 10GB成绩

考虑到Anvils Storage Utilities的算法更新情况，成绩表现只能说是“仅供参考”了，因为这软件在英韧诞生之前就没更新了。

Anvils Storage Utilities成绩

到了TxBENCH0.98b，FA100 1TB顺序读取达到了3127.195MB/s，顺序写入则超过标称到达2795.300MB/s，而4K部分性能则为62.442MB/s，相较于AS SSD Benchmark略高，而比起CDM成绩又略低一点。

TxBENCH成绩

SLC Cache大小&全盘写入测试

这算是老生常谈的了，在本次SLC Cache测试中，管家在测试前对固态硬盘进行删除分区并安全擦除，再在RAW模式下执行TxBENCH高级测试中的全盘写入。

TxBENCH0.98b全盘写入

写入速度/时间折线图

全盘写入中SLC cache耗尽位置

实际SLC cache空间为200~205G

TLC NAND耗尽进入GC阶段位置

在执行全盘写入过程中，FA100 1TB在开始后1分17秒内一直维持在2800~2900MB/s写入速度，当到达1分17秒后SLC cache区间耗尽，此时写入量为221350000000bytes，换算后得出结果是：FA100 1TB的SLC cache大小约为205G；当SLC cache耗尽进入TLC NAND区间后，速度会保持在1000MB/s附近直到8分06秒，此时写入总量为590G，之后固态硬盘TLC NAND区间耗尽进入GC阶段，写入速度降低至于250~300MB/s，这点上和群联类似。

总体来说，FA100 1TB的固件策略相比常见的SMI方案和群联方案来说，拥有更大的SLC cache区间，在日常大文件写入中不会出现明显降速问题，体验更好一些；而在单次巨大写入量的情况下（比如先前的种田挖矿），则会触发GC机制。

温度测试

固态硬盘的温度表现直接影响着设备的稳定性，按照之前的惯例，通过CrystalDiskInfo进行温度监控，对比待机、TxBENCH执行全盘写入以及CrystalDiskMark 64GB跑分的温度进行截图，测试时间为广东9月下旬，室温30度左右。

CrystalDiskMark 64GB跑分时57度

TxBENCH执行全盘写入10分钟59度

测试结束待机10分钟46度

在加装散热片情况下下，经过10分钟全盘写入温度稳定在59度，CrystalDiskMark 64GB跑分中温度则为57度，测试结束关闭所有程序静置待机10分钟后稳定在45~46度；管家认为，FA100 1TB的温度表现相比2262EN要略高1~2度，整体表现符合预期，建议配备散热片使用。

总结：PCIE3.0主流产品的新方案

在本次测试中，宏碁ACER FA100 1TB固态硬盘表现是颇有特色的，来自英韧INNOGRIT的IG5216主控方案搭配自封镁光176层3D TLC颗粒，理论性能比肩PCIE3.0旗舰；5年质保和600TBW写入寿命，面对系统盘和游戏盘需求游刃有余；200~205G的SLC cahce相较其他主控方案拥有更多高速空间；温度表现略比2262EN方案高，建议配备散热片以保证其工作可靠性。